12月30日消息，台积电已经开启了N2 2nm工艺的大规模量产，不过非常低调，没有任何官宣，但和此前制定的进度计划完全相符。

台积电官网的2nm工艺专业题页面有这么一句：“台积电2nm技术已按计划于2025年第四季度投入量产。”

明年，台积电N2的产能将快速爬坡，迎接各家产品，包括NVIDIA、AMD、苹果、高通、联发科都会用它。

N2是台积电首个应用GAA(环绕栅极纳米片晶体管)的制程节点，有些类似Intel RibbonFET。

该技术通过栅极完全包裹由水平堆叠纳米片构成的导电沟道，优化了静电控制效果，降低了漏电率，从而在不牺牲性能与能效的前提下进一步缩小晶体管尺寸，实现密度提升。

N2工艺还在供电部分集成了超高性能金属-绝缘体-金属电容器(SHPMIM)，电容密度比之前的高性能金属-绝缘体-金属电容器(SHDMIM)提升超过2倍，同时将薄层电阻(Rs)、通孔电阻(Rc)降低了50％，从而提升供电稳定性、芯片性能、综合能效。

按照台积电给出的说法，N2相比N3E同等功耗下性能提升10-15％，同等性能下功耗降低20-25％，晶体管密度则提升15％。

N2工艺后续还有两个升级版本，N2P预计2026年下半年量产，性能再提升5-10％，功耗再降低5-10％。

N2X则将在2027年量产，对比N2P继续提升10％的性能，功耗也进一步降低。

再往后就是A16、A14，其中前者业界首发超级供电电路(SPR)，量产工作也将于2026年下半年如期推进。